Bei Through-Silicon-Vias (TSVs) werden einzelne Wafer (oder einzelne Dies) gestapelt, um kundenspezifische, mehrschichtige, multifunktionale Bauelemente zu bilden. Sie werden in vertikaler Richtung miteinander verbunden, wobei metallisierte Löcher oder Säulen als primäre Verbindungsmethode zum Einsatz kommen. Verschiedene Arten von Wafern – z. B. Hochfrequenz-, Analog-, Digital- und Speicherwafer – können mit chemischen und physikalischen Verfahren miteinander verbunden werden.
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