NAND-Flash ist ein nichtflüchtiger Speicher mit mehreren Floating-Gates oder Charge-Trapping-Transistoren. Mehrere Transistoren sind miteinander verbunden, und der Binärwert wird durch Bit- und Wortleitungen gesteuert. NAND-Flash wurde von einer 2D- zu einer 3D-Struktur migriert, um der Forderung nach einer hohen Bitdichte gerecht zu werden. NAND-Flash kann mehrere Bits pro Zelle haben, was zu einer höheren Dichte führt, aber Nachteile bei der Ausdauer und/oder Leistung mit sich bringt:
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